[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910203994.6 | 申请日： | 2009-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN101552287A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 金元住;崔相武;李太熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/36;H01L29/06;H01L29/423;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。提供的半导体器件包括：衬底区；在衬底区上的有源区；在有源区上的栅极图案；以及第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区，沿有源区的两个边缘且不与栅极图案重叠。第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区在水平方向的长度可以短于在垂直方向上的长度。第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区可以沿有源区的两个边缘形成为狭窄的从而不与栅极图案重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底区；在所述衬底区上的有源区；在所述有源区上的栅极图案；以及第一杂质掺杂区和第二杂质掺杂区，沿所述有源区的两个边缘且不与所述栅极图案重叠。
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