[发明专利]半导体芯片、封环结构及其制造方法

摘要

一种封环结构包括一基板、一源/汲极层、一第一介电层、一第一下层金属层、一闸极层及一第二下层金属层，其中，源/汲极层位于基板之中，第一介电层位于基板之上；第一下层金属层位于第一介电层之上，并且通过第一介电层中的第一接触层电连接于源/汲极层；闸极层设置在第一介电层之中；第二下层金属层位于第一介电层之上，并且通过第一介电层中的一第二接触层电连接于闸极层；本发明亦揭示一种具有前述封环的半导体芯片以及前述封环结构的制造方法。设置有本发明实施例的半导体芯片将可以直接连接电压源，而不需再外接一稳压电容即能达到稳压效果。

主权项

一种封环结构，其特征在于，包括：一基板；一源/汲极层，位于该基板之中；一第一介电层，位于该基板之上，具有一第一接触层与一第二接触层；一第一下层金属层，位于该第一介电层之上，并且通过该第一介电层中的该第一接触层电连接于该源/汲极层；一闸极层，设置在该第一介电层之中；及一第二下层金属层，位于该第一介电层之上，并且通过该第一介电层中的该第二接触层电连接于该闸极层。