[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法。在绝缘膜中形成的沟槽的侧面上和底部上形成金属阻挡膜，所述金属阻挡膜包含添加元素；在所述金属阻挡膜上方形成籽晶膜；使用籽晶膜作为籽晶形成镀层，即Cu膜，以用金属膜填充沟槽；对所述金属阻挡膜和所述金属膜进行退火，由此在其间形成合金层，所述合金层包含构成所述金属阻挡膜 的金属、所述添加元素和构成所述金属膜的金属，并且由此使得所述添加元素能够扩散到所述金属膜中。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上方设置的绝缘膜中形成沟槽；在所述绝缘膜中形成的所述沟槽的侧面上和底部上形成金属阻挡膜，所述金属阻挡膜包含添加元素；通过在所述金属阻挡膜上方形成籽晶膜，并且进一步通过使用所述籽晶膜作为籽晶形成镀膜，来用金属膜填充所述沟槽；通过对所述金属阻挡膜和所述金属膜进行退火，在所述金属阻挡膜和所述金属膜之间形成合金层，并且使得所述添加元素扩散到所述金属膜中，其中，所述合金层包含构成所述金属阻挡膜的金属、所述添加元素和构成所述金属膜的金属。