[发明专利]SOI衬底与固态图像拾取器件及制造方法及图像拾取设备无效
| 申请号： | 200910204676.1 | 申请日： | 2009-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101728311A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 泷泽律夫 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146;H01L21/84;H04N5/335 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及SOI衬底与固态图像拾取器件及制造方法及图像拾取设备。一种SOI衬底包括硅衬底、设置在该硅衬底上的硅氧化物层、设置在该硅氧化物层上的硅层、设置在该硅衬底中的收集层以及由设置在该硅氧化物层中的杂质掺杂区域形成的损伤层。 | ||
| 搜索关键词： | soi 衬底 固态 图像 拾取 器件 制造 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种SOI衬底，包括：硅衬底；设置在所述硅衬底上的硅氧化物层；设置在所述硅氧化物层上的硅层；设置在所述硅衬底中的收集层；以及由设置在所述硅氧化物层中的杂质掺杂区域形成的损伤层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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