[发明专利]带有动态生成追踪参考电压的限流负载开关

摘要

提出了一种桥接电源Vss和负载，带有由VRdt-产生器动态生成的参考电压VRdt的限流负载开关。它包括：互相连接在分裂电流结构上的一对功率场效应管和感应场效应管。此场效应管对产生负载电压，并把负载电流Iload限制在预置的最大值Imax以下。场效应管FET对使得它们各自的电流Ipower和Is保持电流比RATIOI＝Is/Ipower＜＜1，感应场效应管高端端子通过一个感应电阻器Rsense与Vss耦合，在电阻器两端产生感应电压Vs＝Is×Rsense。限流放大器的输入端与VRdt和Vs相连，输出端控制场效应管对关闭限流反馈回路。VRdt-产生器在动态调节VRdt的同时，补偿由于感应场效应管的运行转换使RATIOI发生改变所带来的不良影响，因此避免了Iload过度转换而超过Imax的情况。

主权项

带有动态生成追踪参考电压VRdt的限流负载开关CLLS包括：一对功率场效应管和感应场效应管，相互连接在带有共功率栅极和共低端端子的分裂电流结构上，桥接一个外部电源Vss和一个外部负载，产生负载电压Vload，而且当场效应管对饱和时，自动将产生的负载电流Iload限制在可预置的最大值Imax，选择场效应管FET对的尺寸使得它们各自流出的器件电流Ipower和Is保持电流比RATIOI＝Is/Ipower＜＜1，感应场效应管FET高端端子通过一个感应电阻器Rsense与Vss耦合，在电阻器两端产生感应电压Vs＝Is×Rsense；一个限流放大器，其第一输入端与动态追踪参考电压VRdt相连，其第二输入端与Rsense的低端相连，其输出端与共功率栅极相连，因此通过感应场效应管FET形成一反馈回路，当Vs趋向超过VRdt时，将Vs限制在VRdt以下；以及一个VRdt-产生电路，以产生VRdt，VRdt-产生器还耦合到Vload上，因此，当Iload趋于超过Imax，导致感应场效应管FET从它的线性区域转换到饱和区时，所述的VRdt-产生器能够通过一并行发生电位转换，充分补偿由于感应场效应管的运行转换使RATIOI发生改变所带来的不良影响，自动动态调节VRdt；如果没有VRdt的自动动态调节，RATIOI的变化将导致Iload过度转换而超出Imax。