[发明专利]曝光机台的监测方法

摘要

一种曝光机台的监测方法。以预设曝光能量E0与预设曝光焦距F0对晶片进行曝光，将光掩膜图案转移到晶片上的感光材料层上，以形成测试图案。测量测试图案的顶部关键尺寸TCD与底部关键尺寸BCD。以下列公式求得曝光能量偏移量ΔE与曝光焦距偏移量ΔF：TCD+BCD＝αΔE+(TCD0+BCD0)TCD-BCD＝β1ΔF+β2ΔF3α、β1、β2为常数；ΔE＝E-E0、ΔF＝F-F0，E为实际曝光能量，F为实际曝光焦距，E0为使测试图案的中间关键尺寸等于目标值的能量，F0为使测试图案的顶部关键尺寸等于底部关键尺寸的焦距；TCD0与BCD0表示在E0与F0下，测试图案理论上的顶部关键尺寸与底部关键尺寸，其中TCD0等于BCD0。

主权项

一种曝光机台的监测方法，适于计算出该曝光机台的一实际曝光能量E与一实际曝光焦距F是否与所输入的一预设曝光能量E0以及一预设曝光焦距F0之间有误差，包括：在一晶片上形成一感光材料层；以所输入的该预设曝光能量E0与该预设曝光焦距F0对该晶片进行曝光，将一光掩膜上的一图案转移到该感光材料层上，以形成一测试图案；测量该测试图案的顶部关键尺寸与底部关键尺寸，以得到实际顶部关键尺寸TCD与实际底部关键尺寸BCD；以及以下列公式求得一曝光能量偏移量ΔE与一曝光焦距偏移量ΔF：TCD+BCD＝αΔE+(TCD0+BCD0)TCD‑BCD＝β1ΔF+β2ΔF3其中，α、β1以及β2为常数；ΔE＝E‑E0、ΔF＝F‑F0，E为实际曝光能量，F为实际曝光焦距，E0为使该测试图案的中间关键尺寸相等于一目标值的预设能量，F0为使该测试图案的顶部关键尺寸相等于底部关键尺寸的预设焦距；以及TCD0与BCD0表示在E0与F0的曝光条件下，该测试图案理论上具有的顶部关键尺寸与底部关键尺寸，其中TCD0等于BCD0。