[发明专利]用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明的目的是建立用于制造使用氧化物半导体的半导体器件的加工技术。在衬底上方形成栅电极，在栅电极上方形成栅绝缘层，在栅绝缘层上方形成氧化物半导体层，通过湿法蚀刻加工氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层，形成导电层以覆盖岛状氧化物半导体层，通过第一干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过第二干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分、或者通过干法蚀刻加工导电层以形成源电极和漏电极，并且通过所述干法蚀刻去除岛状氧化物半导体层的一部分以在岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。

主权项

一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤：在衬底的上方形成栅电极；在所述栅电极的上方形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层的上方形成氧化物半导体层；通过湿法蚀刻加工所述氧化物半导体层以形成岛状氧化物半导体层；在所述岛状氧化物半导体层的上方形成导电层；通过第一干法蚀刻加工所述导电层以形成源电极和漏电极，以及通过第二干法蚀刻去除所述岛状氧化物半导体层的一部分以在所述岛状氧化物半导体层中形成凹陷部分。