[发明专利]图像传感器及其制造方法无效
申请号: | 200910207121.2 | 申请日: | 2009-10-23 |
公开(公告)号: | CN101728326A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 张勋 | 申请(专利权)人: | 东部高科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/146 |
代理公司: | 北京博浩百睿知识产权代理有限责任公司 11134 | 代理人: | 宋子良;方抗美 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明披露了一种制造图像传感器的方法。该方法包括:制备衬底,在该衬底上限定了像素区和逻辑区,该像素区和该逻辑区设分别置有晶体管,这些晶体管包括形成在像素区和逻辑区中的栅极;在衬底的整个表面上形成覆盖栅极的第一层间介电膜;通过选择性地刻蚀形成在像素区中的第一层间介电膜,形成暴露像素区中的衬底的一个区域和部分栅极的第一接触孔;通过用金属材料填充第一接触孔形成第一接触件;在第一层间介电膜的整个表面上形成第二层间介电膜;同时形成第二接触孔和第三接触孔,第二接触孔穿透像素区中的第二层间介电膜以暴露第一接触件,第三接触孔穿透逻辑区中的第二层间介电膜和第一层间介电膜以暴露逻辑区中的部分栅极和衬底的一个区域;以及通过用金属材料填充第二接触孔和第三接触孔形成第二接触件。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种制造图像传感器的方法,包括:制备衬底,在所述衬底上限定了像素区和逻辑区,所述像素区和所述逻辑区分别设置有晶体管,所述晶体管包括形成在像素区和所述逻辑区中的栅极;在所述衬底的整个表面上形成覆盖所述栅极的第一层间介电膜;通过选择性地刻蚀所述像素区中的所述第一层间介电膜,来形成暴露所述像素区中的所述衬底的一个区域和部分所述栅极的第一接触孔;通过用金属材料填充所述第一接触孔形成第一接触件;在所述第一介电膜的整个表面上形成第二层间介电膜;同时形成第二接触孔和第三接触孔,其中,所述第二接触孔穿透所述像素区中的所述第二层间介电膜以暴露所述第一接触件,所述第三接触孔穿透所述逻辑区中的所述第二层间介电膜和所述第一层间介电膜以暴露所述逻辑区中的部分所述栅极和所述衬底的一个区域;以及通过用金属材料填充所述第二接触孔和所述第三接触孔形成第二接触件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造