[发明专利]用于多波长处理的单片集成光探测器阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200910207134.X | 申请日： | 2009-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102054772A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 黄永清;段晓峰;王琦;任晓敏;黄辉;杨一粟;李轶群 | 申请（专利权）人： | 北京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8252 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 朱黎光 |
| 地址： | 100876 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有多波长处理功能的单片集成光探测器阵列的制备方法，特别涉及此器件中阶梯型谐振腔结构，以及基于该结构的单片集成光探测器阵列的制备方法，和基于该阵列器件的多波长处理功能的实现方法。本发明用于多波长处理的单片集成光探测器阵列的制备方法，包括如下工艺步骤：经多次刻蚀工艺和二次外延生长工艺制备多台阶F-P谐振腔；通过GaAs/InP大失配异质外延生长工艺实现InP系有源器件与GaAs系无源滤波器件的单片集成。本发明解决了可重构光分插复用器件对具有多波长处理功能的单片集成光探测器件的需求问题，并广泛用于光通信及光信号处理等领域，对今后光电子器件的集成化产生重要的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 波长 处理 单片 集成 探测器 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
用于多波长处理的单片集成光探测器阵列的制备方法，其特征在于包括如下工艺步骤：1)经多次刻蚀工艺和二次外延生长工艺制备多台阶F‑P谐振腔；2)通过GaAs/InP大失配异质外延生长工艺实现InP系有源器件与GaAs系无源滤波器件的单片集成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
