[发明专利]浅沟槽隔离台阶高度的控制方法有效
| 申请号： | 200910207784.4 | 申请日： | 2009-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102054738A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 李健;平延磊;卜维亮 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离台阶高度的控制方法，包括：提供同批次的半导体晶圆，所述半导体晶圆上包括待化学机械研磨的浅沟槽隔离区域以及有源区，确定目标台阶高度的值；对上述半导体晶圆进行化学机械研磨；至少选取一片半导体晶圆，测量其实际台阶高度值；获取台阶高度修正值；建立台阶高度修正值与酸洗时间的对应关系；根据上述对应关系，调整该批次半导体晶圆的酸洗时间，并对剩余半导体晶圆进行酸洗，使得浅沟槽隔离区域中，实际台阶高度与目标台阶高度相符。本发明利用酸洗过程中，酸剂的选择性刻蚀作用，调整酸洗的时间修正台阶高度，无需变更化学机械研磨的参数以及增加额外的工序，满足台阶高度的一致性要求。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 台阶 高度 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离台阶高度的控制方法，其特征在于，包括：提供同一批次的半导体晶圆，所述半导体晶圆上包括待化学机械研磨的浅沟槽隔离区域以及有源区，并确定目标台阶高度的值；对上述半导体晶圆进行化学机械研磨；至少选取一片半导体晶圆，测量其实际台阶高度值；根据实际台阶高度以及目标台阶高度的值获取台阶高度修正值；建立台阶高度修正值与酸洗时间的对应关系；根据目标台阶高度以及上述对应关系，确定该批次半导体晶圆的酸洗时间；对剩余半导体晶圆进行酸洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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