[发明专利]阵列基底及其制造方法、采用该阵列基底的液晶显示装置有效
申请号: | 200910208502.2 | 申请日: | 2004-06-09 |
公开(公告)号: | CN101685232A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 全珍;朴真奭;金东焕;秋教燮;梁容豪;文智慧;李源规;宋俊昊 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种阵列基底,包括:一透明基底;多个像素电极,其呈矩阵状分布;多个开关器件,其包括栅电极、漏电极及源电极,所述开关器件的漏电极电连结到所述像素电极;一数据线,所述数据线设置在所述像素电极之间的一区域下方,所述数据线电连结到所述源电极,并且所述数据线具有一第一宽度;一栅极线,其电连结到所述栅电极;和一光阻挡图案,其阻挡从所述像素电极之间的一空间泄漏的光,其中所述光阻挡图案重叠至少两个相邻的像素电极,且所述两个相邻像素电极的重叠宽度彼此不同。 | ||
搜索关键词: | 阵列 基底 及其 制造 方法 采用 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基底,包括:一透明基底;多个像素电极,其呈矩阵状分布;多个开关器件,其包括栅电极、漏电极及源电极,所述开关器件的漏电极电连结到所述像素电极;一数据线,所述数据线设置在所述像素电极之间的一区域下方,所述数据线电连结到所述源电极,并且所述数据线具有一第一宽度;一栅极线,其电连结到所述栅电极;和一光阻挡图案,其阻挡从所述像素电极之间的一空间泄漏的光,其中所述光阻挡图案重叠至少两个相邻的像素电极,且所述两个相邻像素电极的重叠宽度彼此不同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910208502.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。