[发明专利]阵列基底及其制造方法、采用该阵列基底的液晶显示装置有效

专利信息
申请号: 200910208502.2 申请日: 2004-06-09
公开(公告)号: CN101685232A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 全珍;朴真奭;金东焕;秋教燮;梁容豪;文智慧;李源规;宋俊昊 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1368
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供一种阵列基底,包括:一透明基底;多个像素电极,其呈矩阵状分布;多个开关器件,其包括栅电极、漏电极及源电极,所述开关器件的漏电极电连结到所述像素电极;一数据线,所述数据线设置在所述像素电极之间的一区域下方,所述数据线电连结到所述源电极,并且所述数据线具有一第一宽度;一栅极线,其电连结到所述栅电极;和一光阻挡图案,其阻挡从所述像素电极之间的一空间泄漏的光,其中所述光阻挡图案重叠至少两个相邻的像素电极,且所述两个相邻像素电极的重叠宽度彼此不同。
搜索关键词: 阵列 基底 及其 制造 方法 采用 液晶 显示装置
【主权项】:
1.一种阵列基底,包括:一透明基底;多个像素电极,其呈矩阵状分布;多个开关器件,其包括栅电极、漏电极及源电极,所述开关器件的漏电极电连结到所述像素电极;一数据线,所述数据线设置在所述像素电极之间的一区域下方,所述数据线电连结到所述源电极,并且所述数据线具有一第一宽度;一栅极线,其电连结到所述栅电极;和一光阻挡图案,其阻挡从所述像素电极之间的一空间泄漏的光,其中所述光阻挡图案重叠至少两个相邻的像素电极,且所述两个相邻像素电极的重叠宽度彼此不同。
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