[发明专利]通过反应蒸发进行的原位薄膜的生长

摘要

本发明公开了通过反应蒸发进行的原位薄膜的生长。一种在衬底上原位形成MgB2膜的方法包括以下步骤：(a)在淀积区中将硼淀积到衬底的表面上；(b)将衬底移动到包含加压的气态镁的反应区中；(c)将衬底移回到淀积区中；和(d)重复步骤(a)～(c)。在本发明的优选实施例中，通过使用可旋转滚筒将衬底移入和移出淀积区和反应区。

主权项

一种用于在衬底上制备薄膜的装置，其包括：真空室；在真空室内的设置用以支撑一个或多个衬底的可旋转滚筒，设置该滚筒以便在将所述一个或多个衬底固定在该滚筒上时提供所述一个或多个衬底的暴露的下侧；设置在真空室内的壳体，该壳体具有设置于其中的加热元件，该壳体包括上部分和下部分，设置所述上部分用以封闭滚筒的上表面，设置所述下部分用以局部封闭滚筒的下侧表面，所述局部封闭的部分形成反应区；被加热的蒸发单元，该蒸发单元在操作上与壳体的下部分耦合并且设置用以向反应区提供含可忽略不计量氧的加压金属反应物；和淀积区，该淀积区设置在真空室中并且与反应区隔离，设置该淀积区以便在所述一个或多个衬底不包含在反应区中时将淀积物质淀积到所述一个或多个衬底的暴露下侧。