[发明专利]固态成像器件及制造其的方法有效

专利信息
申请号: 200910209101.9 申请日: 2006-01-05
公开(公告)号: CN101728409A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 田谷圭司;阿部秀司;大桥正典;正垣敦;山本敦彦;古川雅一 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/82
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 马高平
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种固态成像器件及其制造方法,所述固态成像器件包括:多个像素,二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中,每个像素包括具有聚集信号电荷的电荷聚集区的光电转换部分;元件隔离层,其设置在沿各个电荷聚集区周边的阱区表面上,且其将各个像素彼此电隔离;和扩散层,其设置在所述元件隔离层下面,以围绕各个电荷聚集区,且将各个像素彼此电隔离,所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度。每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触或与其紧邻。
搜索关键词: 固态 成像 器件 制造 方法
【主权项】:
一种固态成像器件,包括:多个像素,二维地排列在设置在半导体衬底上的阱区中,每个像素包括光电转换部分,所述光电转换部分具有聚集信号电荷的电荷聚集区和设置于所述电荷聚集区上的聚集层;元件隔离层,设置在沿各个电荷聚集区周边的所述阱区表面上,且将各个像素彼此电隔离;和扩散层,设置在所述元件隔离层下面,从而围绕各个电荷聚集区,且将各个像素彼此电隔离,所述扩散层具有比所述元件隔离层小的宽度从而在所述多个像素的每个中在被所述扩散层围绕的位于所述元件隔离层正下方的位置产生延伸区,其中每个电荷聚集区设置以在元件隔离层下延伸并与扩散层形成接触,或者在所述延伸区中朝向所述扩散层延伸了至少所述延伸区的宽度的一半,且其中所述聚集层的导电类型与所述扩散层相同,且所述聚集层在所述元件隔离层下延伸从而接触所述扩散层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910209101.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top