[发明专利]包括槽和槽内的传导结构的电子器件

摘要

一种电子器件可包括晶体管。在一实施方式中，晶体管可包括具有主表面的半导体层和传导结构。传导结构可包括邻近主表面放置的水平定向掺杂区、与主表面和水平定向掺杂区间隔开的下面掺杂区，以及延伸穿过半导体层的大部分厚度且电连接掺杂水平区和下面掺杂区的垂直定向传导区。在另一实施方式中，晶体管可包括栅极电介质层，其中场效应晶体管设计成具有约20V的最大栅极电压，约30V的最大漏极电压，且优良指数不大于约30mΩ＊nC。一种形成电子器件的方法可包括提供包括衬底的工件，包括下面掺杂区和覆盖在下面掺杂区上的半导体层，其中半导体层具有与下面掺杂区间隔开的主表面。此方法还可包括形成从主表面延伸到下面掺杂区的垂直定向传导区，和形成邻近主表面的水平定向掺杂区。在电子器件的制成形式中，与垂直定向传导区相比，水平定向掺杂区进一步在横向方向朝已经形成或将形成源极区的区延伸。电子器件包括晶体管，晶体管包括下面掺杂区、垂直定向传导区和水平定向掺杂区。

主权项

一种电子器件，其包括晶体管，其中，所述晶体管包括：半导体层，其具有主表面；传导结构，其包括：水平定向掺杂区，其邻近所述主表面放置；下面掺杂区，其与所述主表面和所述水平定向掺杂区间隔开；以及垂直定向传导区，其延伸穿过所述半导体层的大部分厚度，且电连接掺杂水平区和所述下面掺杂区；传导电极，其覆盖在所述传导结构上且与所述传导结构电绝缘，其中，所述传导电极设置成当所述电子器件在正常工作状态下时基本恒压；栅极电极，其覆盖在所述半导体层的所述主表面上；以及栅极信号线，其覆盖在所述半导体层的所述主表面和所述传导结构上，其中，在所述晶体管所占据的区域内，所述栅极信号线覆盖在所述传导电极上。