[发明专利]外延基片处理方法无效
| 申请号： | 200910209355.0 | 申请日： | 2009-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102054665A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张元;孟庆丽 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/302;H01L21/31;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种外延基片处理方法，包括：提供外延片，所述外延片包括上表面和下表面，所述外延片的下表面形成有晶点；在所述外延片的上表面形成保护层；去除所述外延片下表面的晶点；去除所述保护层。本发明处理后的外延片，外延片的背面没有晶点，并且具有比较高的平坦度，且本发明提供的外延片处理方法能够与标准半导体工艺结合，不需要额外的设备和特殊的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种外延片处理方法，其特征在于，包括：提供外延片，所述外延片包括上表面和下表面，所述外延片的下表面形成有晶点；在所述外延片的上表面形成保护层；去除所述外延片下表面的晶点；去除所述保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
