[发明专利]半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 200910209357.X | 申请日： | 2009-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN102054775A | 公开（公告）日： | 2011-05-11 |
| 发明（设计）人： | 陈斌;刘海波;樊杨;刘江 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，包括步骤：提供MOS器件，在所述第一扩散区和栅极区上具有介质层，且分别具有贯穿所述介质层的第一和第二接触孔，所述第二接触孔数量少于所述第一接触孔数量；形成金属层，直到所述第一、第二接触孔被完全填充，从而形成第一扩散区上的第一互连插塞和栅极区上的第二互连插塞；对所述金属层进行化学机械研磨；对所述介质层进行刻蚀；在第一扩散区对应的介质层和第一互连插塞上形成第一扩散区金属衬垫，在栅极区对应的介质层和第二互连插塞上形成栅极金属衬垫。本发明提高了半导体器件的封装良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括步骤：提供MOS器件，所述MOS器件包括阵列排列的至少两个MOS晶体管，所述MOS晶体管包括半导体衬底、第一扩散区、第二扩散区和栅极区，所述第一扩散区和第二扩散区为同种导电类型，在所述第一扩散区和栅极区上具有介质层，且分别具有贯穿所述介质层的第一和第二接触孔，所述第二接触孔数量少于所述第一接触孔数量；形成覆盖所述第一扩散区和栅极区的金属层，直到所述第一和第二接触孔被完全填充；对所述金属层进行化学机械研磨，直到所述介质层上的金属层被完全去除，至此，分别在第一接触孔和第二接触孔内形成第一互连插塞和第二互连插塞；对所述介质层进行刻蚀，去除部分厚度的介质层，使介质层表面低于上述第一互连插塞和第二互连插塞的表面；在第一扩散区对应的介质层和第一互连插塞上形成第一扩散区金属衬垫，在栅极区对应的介质层和第二互连插塞上形成栅极金属衬垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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