[发明专利]具有电容补偿的像素结构有效
申请号: | 200910209934.5 | 申请日: | 2009-10-29 |
公开(公告)号: | CN102054832A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 张锡明 | 申请(专利权)人: | 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L29/417;H01L29/423 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 孙长龙 |
地址: | 215217 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种具有电容补偿的像素结构,包括一薄膜晶体管组件。薄膜晶体管组件包括一源极电极、一漏极电极、一半导体层与一栅极电极。栅极电极具有一条状本体部,以及至少一凸出部或至少二凹陷部。本发明的一主要特征在于调整薄膜晶体管组件的漏极电极与栅极电极的形状与配置,使得当漏极电极相对于栅极电极发生前、后、左、右的偏移时,藉由栅极电极的凸出部或凹陷部的设置,漏极电极与栅极电极的重迭面积仍不会改变,且可以使漏极电极与栅极电极的重迭部分的位置也不改变,即栅极-漏极电容(Cgd)不会改变,进而提升显示质量。 | ||
搜索关键词: | 具有 电容 补偿 像素 结构 | ||
【主权项】:
一种具有电容补偿的像素结构,其特征在于,包括:一薄膜晶体管组件,包括:一源极电极,包括一第一电极条;一漏极电极,包括一第二电极条,该第二电极条本质上平行于该第一电极条;一半导体层,设置于该源极电极与该漏极电极下方,且包括一通道区域,该通道区域设置于该第一电极条与该第二电极条之间;以及一栅极电极,设置于该半导体层下方,该栅极电极具有一条状本体部,以及至少一凸出部或至少二凹陷部,该条状本体部平行于该第一电极条与该第二电极条,且该通道区域覆盖该条状本体部;其中,该凸出部或该等凹陷部使该第二电极条跨越该栅极电极而与该栅极电极部分重迭,该第二电极条的相对两端均不与该栅极电极于铅直方向上重迭,且该第二电极条与该栅极电极彼此重迭的部分形成一电容。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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