[发明专利]具有电容补偿的像素结构有效

专利信息
申请号: 200910209934.5 申请日: 2009-10-29
公开(公告)号: CN102054832A 公开(公告)日: 2011-05-11
发明(设计)人: 张锡明 申请(专利权)人: 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/786;H01L29/417;H01L29/423
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 孙长龙
地址: 215217 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种具有电容补偿的像素结构,包括一薄膜晶体管组件。薄膜晶体管组件包括一源极电极、一漏极电极、一半导体层与一栅极电极。栅极电极具有一条状本体部,以及至少一凸出部或至少二凹陷部。本发明的一主要特征在于调整薄膜晶体管组件的漏极电极与栅极电极的形状与配置,使得当漏极电极相对于栅极电极发生前、后、左、右的偏移时,藉由栅极电极的凸出部或凹陷部的设置,漏极电极与栅极电极的重迭面积仍不会改变,且可以使漏极电极与栅极电极的重迭部分的位置也不改变,即栅极-漏极电容(Cgd)不会改变,进而提升显示质量。
搜索关键词: 具有 电容 补偿 像素 结构
【主权项】:
一种具有电容补偿的像素结构,其特征在于,包括:一薄膜晶体管组件,包括:一源极电极,包括一第一电极条;一漏极电极,包括一第二电极条,该第二电极条本质上平行于该第一电极条;一半导体层,设置于该源极电极与该漏极电极下方,且包括一通道区域,该通道区域设置于该第一电极条与该第二电极条之间;以及一栅极电极,设置于该半导体层下方,该栅极电极具有一条状本体部,以及至少一凸出部或至少二凹陷部,该条状本体部平行于该第一电极条与该第二电极条,且该通道区域覆盖该条状本体部;其中,该凸出部或该等凹陷部使该第二电极条跨越该栅极电极而与该栅极电极部分重迭,该第二电极条的相对两端均不与该栅极电极于铅直方向上重迭,且该第二电极条与该栅极电极彼此重迭的部分形成一电容。
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