[发明专利]金刚石单晶同质内延修复以及同质外延生长的方法无效
| 申请号： | 200910210558.1 | 申请日： | 2009-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN101696515A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 宋建华 | 申请（专利权）人： | 宋建华 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100091 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种金刚石单晶同质内延修复以及同质外延生长的方法，其特征在于所述方法包括：采用CVD化学气相沉积金刚石设备，以金刚石单晶为晶种，于700～2000℃的温度下进行气相沉积的内延修复和外延生长。该方法能够同时实现金刚石单晶的同质内延修复和同质外延生长，其可用于修复现有金刚石的内部空洞和裂纹等缺陷，去除金刚石的内部杂质和颜色，增加其透明度和洁净度，并可以在金刚石单晶外表面的各个取向上同质外延生长，得到纯净的较大尺寸金刚石单晶。该方法实现条件温和，运行成本低，可用于人造和天然金刚石单晶为晶种的修复及生长。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 同质 修复 以及 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种金刚石单晶同质内延修复以及同质外延生长的方法，其特征在于所述方法包括：采用金刚石沉积设备，以金刚石单晶为晶种，于700～2000℃的温度下进行气相沉积的内延修复和外延生长。
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