[发明专利]光伏装置的蚀刻工艺控制方法无效
申请号: | 200910210815.1 | 申请日: | 2009-11-10 |
公开(公告)号: | CN102054894A | 公开(公告)日: | 2011-05-11 |
发明(设计)人: | 叶育修;刘华龙;刘正治;罗智文 | 申请(专利权)人: | 均豪精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种光伏装置的蚀刻工艺控制方法,其包括以下步骤:步骤1:将一晶片送入一蚀刻机台;步骤2:在所述蚀刻机台内测量、计算、记录所述晶片在蚀刻工艺前与蚀刻工艺后的某一特定物理量的差异,并由此计算、记录其蚀刻率;步骤3:由所述蚀刻机台自动判断所述蚀刻率与所述蚀刻机台内设的预定值是否有差异,若为否,则重新回到步骤1,若为是,则往下进行步骤4;步骤4:由所述蚀刻机台计算蚀刻工艺参数修正值;步骤5:由所述蚀刻机台自动修正其蚀刻工艺参数,并且回到步骤1。本发明是在光伏装置的蚀刻程序中,运用自动工艺回馈控制法来调整晶片的蚀刻率,以达到稳定的蚀刻工艺参数。 | ||
搜索关键词: | 装置 蚀刻 工艺 控制 方法 | ||
【主权项】:
一种光伏装置的蚀刻工艺控制方法,其特征在于,其是包括有下列步骤:步骤1:将一晶片送入一蚀刻机台;步骤2:在所述蚀刻机台内测量、计算、记录所述晶片在蚀刻工艺前与蚀刻工艺后的某一特定物理量的差异,并由此计算、记录其蚀刻率;步骤3:由所述蚀刻机台自动判断所述蚀刻率与所述蚀刻机台内设的预定值是否有差异,若为否,则重新回到步骤1,若为是,则往下进行步骤4;步骤4:由所述蚀刻机台计算蚀刻工艺参数修正值;步骤5:由所述蚀刻机台自动修正其蚀刻工艺参数,并且回到步骤1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的