[发明专利]对临界尺寸(CD)扫描电镜的CD提取进行建模有效
申请号: | 200910211301.8 | 申请日: | 2009-10-30 |
公开(公告)号: | CN101877016A | 公开(公告)日: | 2010-11-03 |
发明(设计)人: | 张乔林 | 申请(专利权)人: | 新思科技有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及对临界尺寸(CD)扫描电镜的CD提取进行建模。本发明的一个实施例涉及一种在光刻工艺模型校准期间对临界尺寸(CD)扫描电镜(CD-SEM)提取进行建模的方法。在操作期间,该方法接收通过使用CD-SEM提取处理而获得的测量CD值,其中CD-SEM提取处理通过沿着多个电子束扫描测量特征的多个CD值,来确定该特征的测量CD值。然后该方法确定仿真CD值,其中仿真CD值至少基于均匀布置在目标特征周围的一组CD提取切割线来确定。在后续光刻工艺模型校准期间,该方法至少基于测量CD值和仿真CD值二者来拟合对光刻工艺的一个方面进行建模的参数。 | ||
搜索关键词: | 临界 尺寸 cd 扫描电镜 提取 进行 建模 | ||
【主权项】:
一种在光刻工艺模型校准期间用于对临界尺寸(CD)扫描电镜(CD-SEM)提取进行建模的方法,所述方法包括:接收通过使用CD-SEM提取处理获得的测量CD值,其中所述CD-SEM提取处理通过根据多个电子束扫描测量特征的多个CD值来确定用于所述特征的测量CD值;确定仿真CD值,其中仿真CD值是至少基于一组CD提取切割线确定的;以及在光刻工艺模型校准期间,至少基于所述测量CD值和所述仿真CD值来对光刻工艺的一个方面进行建模的参数进行拟合。
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