[发明专利]氮化镓系化合物半导体层的形成和转移方法及基板结构有效
| 申请号： | 200910211516.X | 申请日： | 2009-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN101740697A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 米原隆夫 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00;H01L27/15;B41J2/45;G03G15/01 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种氮化镓系化合物半导体层的形成和转移方法及基板结构。所述方法包括：在第一基板上形成包含氧化硅的第一层；部分地去除第一层以形成第一基板上的露出部分；在具有露出部分的第一基板上沉积非晶氮化镓系化合物半导体；蒸发第一层上的半导体以在第一基板的露出部分上形成半导体的核；通过半导体的核的尺寸的增大、核的合并、晶体生长、刻面的形成、位错线的弯曲、向第一层上的横向晶体生长、相邻晶粒之间的碰撞、横向生长的晶体的合并、位错网的形成和平坦表面的形成，在第一基板上形成半导体的外延层；和去除第一基板上的露出部分上的半导体的外延层，以形成分开沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 形成 转移 方法 板结 | ||
【主权项】：
一种形成氮化镓系化合物半导体层的形成方法，所述方法包括：在蓝宝石或SiC基板的第一基板上形成包含氧化硅的第一层；部分地去除所述第一层以形成所述第一基板上的露出部分；在具有所述露出部分的所述第一基板上沉积非晶氮化镓系化合物半导体；蒸发所述第一层上的所述非晶氮化镓系化合物半导体以在所述第一基板的所述露出部分上形成所述非晶氮化镓系化合物半导体的核；通过所述非晶氮化镓系化合物半导体的核中的至少一个的尺寸的增大、核的合并、晶体生长、刻面的形成、位错线的弯曲、向所述第一层上的横向晶体生长、相邻晶粒之间的碰撞、横向生长的晶体的合并、位错网的形成和平坦表面的形成，在所述第一基板上形成氮化镓系化合物半导体的外延层；和去除所述第一基板上的所述露出部分上的所述氮化镓系化合物半导体的外延层，以形成分开沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910211516.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
