[发明专利]绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管及工艺制造方法有效
| 申请号： | 200910212763.1 | 申请日： | 2009-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN101764150A | 公开（公告）日： | 2010-06-30 |
| 发明（设计）人： | 易扬波;李海松;王钦;刘侠;陈文高;陶平 | 申请（专利权）人： | 苏州博创集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331;H01L21/316;H01L21/265 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 楼高潮 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高压绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的工艺制造方法，包括：P型掺杂半导体衬底，在P型掺杂半导体衬底上面设有埋氧层，在氧化层上设有N型漂移区，该绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的场氧化层属于二阶场氧化层，栅极延伸至场氧化层上方形成的场板是二阶场板。二阶场氧化层的形成是用先淀积氧化层，经过刻蚀和热生长形成的。N型掺杂缓冲区是通过二阶场氧化层自对准用高能离子注入形成的。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 横向 绝缘 双极晶体管 工艺 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底(1)，在所述P型掺杂半导体衬底(1)上面设有埋氧层(2)，在所述埋氧层(2)上设有P型掺杂外延层(3)，在所述P型掺杂外延层(3)的左侧设有N型掺杂深阱区(4)，在所述P型掺杂外延层(3)的右侧设有P型掺杂深阱区(5)，在所述N型掺杂深阱区(4)和部分所述P型掺杂外延层(3)的上方设有N型掺杂漂移区(6)，在所述P型掺杂深阱区(5)和部分所述P型掺杂外延层(3)的上方设有P型掺杂半导体区(7)，在所述N型掺杂漂移区(6)中左侧设有N型掺杂缓冲区(8)，在所述N型掺杂缓冲区(8)中设有P型掺杂阳极接触区域(9)，在所述P型掺杂半导体区(7)中设有N型掺杂阴极接触区域(10)和P型掺杂体接触区(11)，在部分所述N型掺杂漂移区(6)和部分所述P型掺杂半导体区(7)的上方设有栅氧化层(12)，在部分所述N型掺杂漂移区(6)的上方设有二阶场氧化层(13)，其特征在于，在所述P型掺杂阳极接触区域(9)的上方设有金属层(15)，构成了所述绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的阳极金属电极，在所述P型掺杂体接触区(11)和部分所述N型掺杂阴极接触区域(10)的上方设有金属层(14)，构成了绝缘体上硅的横向绝缘栅双极晶体管的阴极金属电极，在栅氧化层(12)的上方设有多晶硅(16)，并且多晶硅(16)的左端延伸到二阶场氧化层(13)的上方构成二阶多晶硅场板结构。
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