[发明专利]绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管

摘要

一种绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管，包括P型掺杂半导体衬底，P型掺杂外延层，N型掺杂阱区，N型掺杂缓冲区域，器件的阳极接触区域和阴极接触区域都是由P型阳极接触区域和N型阳极接触区域在器件的宽度方向上相互交替排列形成的，当器件的栅极电压大于阈值电压后，电流既可以正向导通，也可以反向导通，并且器件的阳极接触区域和阴极接触区域是各自交叉对称的结构，缩短了器件的关断时间，减少了器件的关断功耗。

主权项

一种绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管，包括：P型掺杂半导体衬底(1)，在所述P型掺杂半导体衬底(1)上面设有埋氧层(2)，在所述埋氧层(2)上设有P型掺杂外延层(3)，在所述埋氧层(2)上、所述P型掺杂外延层(3)的左侧设有N型掺杂阱区(4)，在所述埋氧层(2)上、所述P型掺杂外延层(3)的右侧设有N型掺杂阱区(5)，在所述N型掺杂阱区(4)中设有N型掺杂缓冲区域(15)，在所述N型掺杂缓冲区域(15)中设有P型阳极接触区域(6)和N型阳极接触区域(7)，所述P型阳极接触区域(6)和所述N型阳极接触区域(7)在器件的宽度方向上是相互交替排列的，在所述N型掺杂阱区(5)中设有N型掺杂缓冲区域(16)，在所述N型掺杂缓冲区域(16)中设有P型阴极接触区域(9)和N型阴极接触区(8)，所述P型阴极接触区域(9)和所述N型阴极接触区(8)在器件的宽度方向上也是相互交替排列的。在所述N型掺杂阱区(4)和所述N型掺杂阱区(5)上均设有场氧化层(10)，在所述P型外延层(3)和部分所述N型掺杂阱区(4)和所述N型掺杂阱区(5)上设有栅氧化层(11)，在所述栅氧化层(11)上设有多晶硅(12)，构成器件的栅极，所述N型阳极接触区域(7)上设有金属层(13)，所述N型阴极接触区(8)上设有金属层(14)，其特征在于，所述绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管的的阳极是由P型阳极接触区域(6)和N型阳极接触区域(7)构成，且P型阳极接触区域(6)和N型阳极接触区域(7)在器件的宽度方向上是相互交替排列的器件的，所述绝缘体上硅的正反导通横向绝缘栅双极晶体管的的阴极是由P型阴极接触区域(9)和N型阴极接触区(8)构成，且P型阴极接触区域(9)和N型阴极接触区(8)在器件的宽度方向上也是相互交替排列的。