[发明专利]原位低压氧化掺铝氮化锌制备P型氧化锌薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910214084.8 | 申请日： | 2009-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101798672A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张军;邵乐喜;薛书文;李达 | 申请（专利权）人： | 湛江师范学院 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;H01L33/28 |
| 代理公司： | 湛江市三强专利事务所 44203 | 代理人： | 庞爱英 |
| 地址： | 524048 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种原位低压氧化掺铝氮化锌制备P型氧化锌薄膜的方法，采用超高真空磁控溅射系统在石英衬底上制备含铝氮化锌薄膜作为前驱体，其中靶材选择纯度为99.999％高纯锌，在靶面上放置高纯铝片，控制样品中铝的含量。在前驱体制备完成后，将反应室本底抽真空为10-4Pa再通入99.999％高纯氧气对前驱体进行低压氧化。本发明利用氮铝共掺杂提高氧化锌中活性氮的含量，增加空穴载流子的浓度和迁移率，降低氧化锌薄膜电阻率。氧化温度为550℃时，电阻率低至19.8(Ω·cm)，载流子浓度达到+4.6E1018cm-3。光学带隙在3.27Ev，薄膜结晶状态和光学性质良好。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 低压 氧化 氮化 制备 氧化锌 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种原位低压氧化掺铝氮化锌制备p型氧化锌薄膜的方法，其特征在于：采用超高真空多靶磁控溅射系统制备含铝氮化锌薄膜作为前驱体，然后进行原位低压氧化，其中靶材选择纯度为99.999％高纯锌，在靶面上放置不同面积的高纯铝片，控制样品中铝的含量，实现氮铝共掺杂，靶与此同时衬底的距离可调，在前驱体制备完成后，将反应室本底抽真空为10-4Pa，通入99.999％高纯氧气对前驱体薄膜进行原位低压氧化，通过降低氧化气氛中的氧气分压来控制氧化过程，实现了对样品中活性氮含量的有效控制。
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