[发明专利]一种β-FeSi2薄膜太阳能电池无效
申请号: | 200910214225.6 | 申请日: | 2009-12-25 |
公开(公告)号: | CN101740645A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 姚若河;许家雄;耿魁伟 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种β-FeSi2薄膜太阳能电池,它依次由非硅衬底(1)、背电极(2)、薄膜硅层(3)、β-FeSi2层(4)、氧化锌层(5)构成。非硅衬底(1)是陶瓷薄片或金属薄片;薄膜硅层(3)是n型或p型掺杂非晶硅;背电极(2)是可导电的材料;β-FeSi2层(4)为p型掺杂或n型掺杂;氧化锌层(5)为n型掺杂,掺杂浓度1×1019cm-3~2×1019cm-3,或者氧化锌层p型掺杂,掺杂浓度1×1017cm-3~2×1017cm-3。本发明采用非硅廉价衬底,降低电池制造成本;采用背场结构,提高开路电压和光电转换效率;氧化锌层起减反射作用,提高短路电流和光电转换效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 fesi sub 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种β-FeSi2薄膜太阳能电池,其特征在于:依次由非硅衬底(1)、背电极(2)、薄膜硅层(3)、β-FeSi2层(4)和氧化锌层(5)构成;非硅衬底(1)是陶瓷薄片或金属薄片;薄膜硅层(3)厚度为8nm~12nm,是n型或p型掺杂非晶硅,掺杂浓度1×1019cm-3~2×1019cm-3;所述背电极(2)是可导电的材料;β-FeSi2层(4)厚度为200nm~250nm,为p型掺杂或n型掺杂,掺杂浓度1×1017cm-3~2×1017cm-3;氧化锌层(5)厚度为100nm~150nm;为n型掺杂,掺杂浓度1×1019cm-3~2×1019cm-3,或者氧化锌层p型掺杂,掺杂浓度1×1017cm-3~2×1017cm-3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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