[发明专利]一种β-FeSi2薄膜太阳能电池无效

专利信息
申请号: 200910214225.6 申请日: 2009-12-25
公开(公告)号: CN101740645A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 姚若河;许家雄;耿魁伟 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种β-FeSi2薄膜太阳能电池,它依次由非硅衬底(1)、背电极(2)、薄膜硅层(3)、β-FeSi2层(4)、氧化锌层(5)构成。非硅衬底(1)是陶瓷薄片或金属薄片;薄膜硅层(3)是n型或p型掺杂非晶硅;背电极(2)是可导电的材料;β-FeSi2层(4)为p型掺杂或n型掺杂;氧化锌层(5)为n型掺杂,掺杂浓度1×1019cm-3~2×1019cm-3,或者氧化锌层p型掺杂,掺杂浓度1×1017cm-3~2×1017cm-3。本发明采用非硅廉价衬底,降低电池制造成本;采用背场结构,提高开路电压和光电转换效率;氧化锌层起减反射作用,提高短路电流和光电转换效率。
搜索关键词: 一种 fesi sub 薄膜 太阳能电池
【主权项】:
一种β-FeSi2薄膜太阳能电池,其特征在于:依次由非硅衬底(1)、背电极(2)、薄膜硅层(3)、β-FeSi2层(4)和氧化锌层(5)构成;非硅衬底(1)是陶瓷薄片或金属薄片;薄膜硅层(3)厚度为8nm~12nm,是n型或p型掺杂非晶硅,掺杂浓度1×1019cm-3~2×1019cm-3;所述背电极(2)是可导电的材料;β-FeSi2层(4)厚度为200nm~250nm,为p型掺杂或n型掺杂,掺杂浓度1×1017cm-3~2×1017cm-3;氧化锌层(5)厚度为100nm~150nm;为n型掺杂,掺杂浓度1×1019cm-3~2×1019cm-3,或者氧化锌层p型掺杂,掺杂浓度1×1017cm-3~2×1017cm-3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910214225.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top