[发明专利]ZnO基发光二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200910214542.8 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101777612A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 孙慧卿;郭志友;王雨田;邓贝;陈鹏;孔利平 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/28 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;廖继海 |
| 地址： | 510631广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO基发光二极管及其制备方法。一种ZnO基发光二极管，包括在衬底(1)上依次沉积的ZnO同质缓冲层(2)、n型ZnO接触层(3)、n型Zn1-xCdxO层(4)、由Zn1-yCdyO层和ZnO层交替形成的多层Zn1-yCdyO/ZnO多量子阱结构层、Al和N共掺杂的P型Zn1-zCdzO层(6)、Al和N共掺杂的P型ZnO层(7)、ZnO电流扩展层(8)；负电极(9)置于n型Zn1-xCdxO层上，正电极(10)置于ZnO电流扩展层(8)上。本发明通过在ZnO材料中共掺杂Al和N元素，可以有效改善ZnO薄膜的p型特性，制备发光效率高的ZnO发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | zno 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
ZnO基发光二极管，其特征在于包括在衬底(1)上依次沉积的ZnO同质缓冲层(2)、n型ZnO接触层(3)、n型Zn1-xCdxO层(4)、由Zn1-yCdyO层和ZnO层交替形成的多层Zn1-yCdyO/ZnO多量子阱结构层、Al和N共掺杂的P型Zn1-zCdzO层(6)、Al和N共掺杂的P型ZnO层(7)、ZnO电流扩展层(8)；负电极(9)置于n型Zn1-xCdxO层上，正电极(10)置于ZnO电流扩展层(8)上；其中，0＜x≤0.5，0＜y≤0.5，0＜z≤0.5。
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