[发明专利]压阻式单片集成三轴加速度传感器及制造方法有效
申请号: | 200910215479.X | 申请日: | 2009-12-31 |
公开(公告)号: | CN101852816A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 田雷;付博;王永刚;李海博;寇文兵;金建东;齐虹;李玉玲;王晓光;王振;王江;张岩 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
主分类号: | G01P15/12 | 分类号: | G01P15/12;B81B7/02 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 王吉东 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 压阻式单片集成三轴加速度传感器及制造方法。本发明涉及压阻式加速度传感器领域。它解决了测量时存在的矢量测量精度低、可靠性差、质心不重合、体积大的缺点。它是由一块芯片集成,芯片划分为固支框区、电路区和传感区;第一二质量块沿传感区的纵向中轴线对称设置,第一二质量块之间连有第一二中间梁,第一二质量块外侧面上分别设置两个L型敏感梁,第一至四L型敏感梁相对于传感区的横向中轴线和纵向中轴线对称设置,第一至八压敏电阻设置在L型敏感梁头上,第九至十二压敏电阻设置在第一二中间梁上,芯片的上表面位于同一水平面,从深到浅依次为梁、质量块和敏感区外部。利用压阻效应原理,将加速度计与电路集成在一个芯片上,提高测量精度和可靠性。 | ||
搜索关键词: | 压阻式 单片 集成 加速度 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】:
压阻式单片集成三轴加速度传感器,其特征在于它是由一块芯片集成,芯片划分为固支框区(K)、电路区(N)和传感区(M);传感区(M)由第一质量块(M1)、第二质量块(M2)、第一中间梁(M3)、第二中间梁(M4)、第一至第四L型敏感梁(M5)至(M8)和第一至第十二压敏电阻组成;第一质量块(M1)和第二质量块(M2)沿传感区(M)的纵向中轴线对称设置,第一质量块(M1)与第二质量块(M2)之间的两个侧面通过两个第一中间梁(M3)和第二中间梁(M4)连接,第一质量块(M1)与第二质量块(M2)之间的两个侧面相对的两个侧面上分别设置有两个L型敏感梁,即为第一至第四L型敏感梁(M5)至(M8)的一端分别连接在第一质量块(M1)与第二质量块(M2)的侧表面上,第一至第四L型敏感梁相对于传感区(M)的横向中轴线和纵向中轴线对称设置,第一L型敏感梁(M5)的另一端上设置并排有第一压敏电阻(A)和第二压敏电阻(A’);第二L型敏感梁(M6)的另一端上设置并排有第三压敏电阻(B)和第四压敏电阻(B’);第三L型敏感梁(M7)的另一端上设置并排有第五压敏电阻(C)和第六压敏电阻(C’);第四L型敏感梁(M8)的另一端上设置并排有第七压敏电阻(D)和第八压敏电阻(D’);第一中间梁(M3)上设置有第九压敏电阻(a)和第十压敏电阻(b),第十压敏电阻(b)垂直于第九压敏电阻(a)形成T字形,T字形的横边位于第一中间梁(M3)的外边缘;第二中间梁(M4)上设置有第十一压敏电阻(c)和第十二压敏电阻(d),第十二压敏电阻(d)垂直于第十一压敏电阻(c)形成T字形,T字形的横边位于第二中间梁(M4)的外边缘;第一质量块(M1)、第二质量块(M2)、第一中间梁(M3)、第二中间梁(M4)和第一至第四L型敏感梁(M5)至(M8)的上表面位于同一水平面,第一中间梁(M3)、第二中间梁(M4)和第一至第四L型敏感梁(M5)至(M8)的厚度为20~40微米,第一中间梁(M3)、第二中间梁(M4)和第一至第四L型敏感梁(M5)至(M8)厚度小于第一质量块(M1)和第二质量块(M2)的厚度,厚度差值为370~380微米;第一质量块(M1)和第二质量块(M2)的厚度小于固支框区K和电路区(N)的厚度,厚度差值为10~20微米。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第四十九研究所,未经中国电子科技集团公司第四十九研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910215479.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多功能公路冰雪传感器
- 下一篇:一种射频无线湿度传感系统