[发明专利]制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用其的抛光方法及通过其制造的半导体器件有效
| 申请号： | 200910215848.5 | 申请日： | 2009-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101768412A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 李泰永;李仁庆;崔炳镐;朴容淳 | 申请（专利权）人： | 第一毛织株式会社 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/768;H01L23/522;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张英 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物、使用该组合物的抛光方法以及包括通过该方法制造的铜互连的半导体器件。该组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中，磨料颗粒是具有约0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 互连 阻挡 抛光 cmp 浆料 组合 使用 方法 通过 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种用于制造铜互连的阻挡层抛光的CMP浆料组合物，所述组合物包括磨料颗粒、铜表面保护剂、铜缓蚀剂、氧化剂和pH调节剂，其中，所述磨料颗粒是具有约0.6或更小的平均一次粒径与平均二次粒径的比率的非球形胶体氧化硅，而所述铜表面保护剂是羧基官能化的水溶性聚合物。
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