[发明专利]一种太赫兹波平面吸收材料无效
申请号: | 200910216064.4 | 申请日: | 2009-10-29 |
公开(公告)号: | CN101702067A | 公开(公告)日: | 2010-05-05 |
发明(设计)人: | 文岐业;张怀武;杨青慧;谢云松;刘颖力;李元勋 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G02F1/35 | 分类号: | G02F1/35;H01P1/20 |
代理公司: | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人: | 葛启函 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种太赫兹波平面吸收材料,属于电磁功能材料技术领域,涉及电磁波吸收材料。包括衬底、金属反射层、介质层和人工电磁媒质层;其中,所述金属反射层为连续金属薄膜,且位于衬底表面;所述介质层位于金属反射层和人工电磁媒质层之间;所述人工电磁媒质层由周期性排列的人工电磁媒质单元构成;每个单元为一个线宽为t的金属薄膜线条形成的中心对称图形,包括中间由两个单开口金属环相向连接的电开口环共振器;还包括两个与电开口环共振器两侧长边背向连接的单开口金属环。本发明所提出的太赫兹波平面吸收材料具有两个强吸收频段,可以提供不同频段的选择性吸收和探测。同时可以吸收更大频谱范围的太赫兹辐射,提高了太赫兹波平面吸收材料的性能和效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 赫兹 平面 吸收 材料 | ||
【主权项】:
一种太赫兹波平面吸收材料,包括衬底、金属反射层、介质层和人工电磁媒质层;其中,所述金属反射层为连续金属薄膜,其厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度,且位于衬底表面;所述介质层位于金属反射层和人工电磁媒质层之间;其特征在于,所述人工电磁媒质层由周期性排列的人工电磁媒质单元构成;每个人工电磁媒质单元为一个线宽为t的金属薄膜线条形成的中心对称图形,包括中间由两个单开口金属环相向连接而成的电开口环共振器,其中两个单开口金属环的开口相互连接,形成电开口环共振器的开口;还包括两个与电开口环共振器两侧长边背向连接的单开口金属环;整体人工电磁媒质单元长为b,宽为a;中间电开口环共振器的长为a,宽为1;中间电开口环共振器的开口与两侧单开口金属环的开口形状相同,其开口距离为d,开口宽度为w。
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