[发明专利]低阻传输线接收前置放大器

摘要

本发明公开了低阻传输线接收前置放大器，至少包括两个用作源随器的PMOS管和两个用作放大器的NMOS管，或者两个用作源随器的NMOS管和两个用作放大器的PMOS管，用于对输入信号进行升压或者降压；还包括四个尾电流源ib1、ib2、ib3、ib4，四个尾电流源大小相等，值为Ib，根据输出端Out_p、Out_n连接的负载大小进行调整；MOS管的跨导相同，得到放大器接收的最小差分电压为|VTHP-VTHN|/2；在工作的时候，由于差分信号是交替变化的，用于放大的MOS管会在截止、饱和放大和线性区三种状态下切换工作，正是由于有截止和线性区工作，使前置放大器功耗降低到只有普通前置放大器功耗的1/3以下。

主权项

低阻传输线接收前置放大器，其特征在于：至少包括两个用作源随器的PMOS管和两个用作放大器的NMOS管，或者两个用作源随器的NMOS管和两个用作放大器的PMOS管，用于对输入信号进行升压或者降压；至少包括四个尾电流源ib1、ib2、ib3、ib4，四个尾电流源大小相等，值为Ib，根据两个输出端Out_p、Out_n连接的负载大小进行电流调整；根据MOS管电流公式：I＝1/2UCOXW/L(VGS-VTH)2，在饱和状态下四个MOS管流过的电流相同，将MOS管的跨导设计相同，前置放大器接收的最小差分电压为|VTHP-VTHN|/2。其中：U为载流子迁移率，PMOS管沟道中空穴载流子迁移率为Up，而NMOS管沟道下电子载流子迁移率为Un；Cox为单位面积栅氧化层电容；W为PMOS或NMOS管的沟道宽度；L为PMOS或NMOS管的沟道长度；VGS为PMOS或NMOS管的栅极于源极之间的静态电压差；VTH为PMOS或NMOS管各自对应的阈值电压。