[发明专利]一种多元金属元素掺杂类金刚石膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910217544.2 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101787512A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 付志强;王成彪;岳文;彭志坚;于翔 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（北京） |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/02;C23C14/32;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多元金属元素掺杂类金刚石膜的制备方法，特征是首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层，利用离子源产生的惰性气体离子束对基体表面进行离子束轰击清洗，然后在高工件负偏压下利用阴极电弧源产生的金属离子对基体表面进行金属离子轰击清洗，再利用阴极电弧沉积或离子束辅助磁控溅射制备梯度过渡层，最后在过渡层上利用离子束沉积+镶嵌复合靶磁控溅射合成多元金属元素掺杂DLC膜，离子束沉积通过向离子源中通入含碳气体实现，采用镶嵌复合靶掺杂多元金属，嵌镶复合靶的主体材料为Ti、Cr、W、Zr、Nb、Ta中的任何一种，镶嵌块材料为一种或多种除主体材料之外的其他金属。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多元 金属元素 掺杂 金刚石 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备多元金属元素掺杂类金刚石(DLC)膜的方法，其特征在于：所述方法将离子束沉积、磁控溅射、镶嵌复合靶结合起来合成多元金属元素掺杂DLC膜，所述方法包括以下步骤：(1)首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层；(2)利用离子源产生的惰性气体离子束对基体表面进行离子束刻蚀清洗；(3)在高工件负偏压下利用阴极电弧源产生的金属离子对基体表面进行金属离子刻蚀清洗；(4)利用阴极电弧离子镀或离子束增强磁控溅射制备梯度过渡层；(5)在制备的过渡层上利用离子束沉积+镶嵌复合靶磁控溅射合成多元金属元素掺杂DLC膜。
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