[发明专利]一种高性能掺杂类金刚石膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910217545.7 申请日: 2009-12-31
公开(公告)号: CN101748381A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 付志强;王成彪;岳文;彭志坚;于翔 申请(专利权)人: 中国地质大学(北京)
主分类号: C23C16/27 分类号: C23C16/27;C23C16/455
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种高性能掺杂类金刚石膜的制备方法,其特征是该方法首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层;然后利用离子束辅助沉积技术制备梯度过渡层;最后利用离子束沉积+磁控溅射合成多元掺杂DLC膜,在此步骤除了向离子源中通入甲烷、乙炔、苯、乙醇、丙酮等任何一种含碳气体外,还同时通入包括硅烷、硼烷、磷烷、四氟化碳等含非碳元素气体源的任何一种气体,并开启金属溅射源掺杂金属元素。本发明可合成同时掺杂金属元素和非金属元素的多元掺杂DLC膜,充分发挥掺杂金属元素和非金属元素的优势互补,显著改善DLC膜的综合性能。
搜索关键词: 一种 性能 掺杂 金刚石 制备 方法
【主权项】:
一种多元掺杂类金刚石(DLC)膜的制备方法,其特征在于:在离子束沉积合成DLC膜的过程中,除了向离子源中通入甲烷、乙炔、苯、乙醇、丙酮等任何一种含碳气体外,还同时通入包括硅烷、硼烷、磷烷、四氟化碳等含非碳元素气体源的任何一种气体,并开启金属溅射源掺杂金属元素,合成多元掺杂DLC膜,所述方法包括以下步骤:(1)首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层;(2)然后利用离子束辅助沉积技术制备梯度过渡层;(3)最后在梯度过渡层上利用离子束沉积+磁控溅射合成多元掺杂DLC膜。
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