[发明专利]一种高性能掺杂类金刚石膜的制备方法无效
申请号: | 200910217545.7 | 申请日: | 2009-12-31 |
公开(公告)号: | CN101748381A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 付志强;王成彪;岳文;彭志坚;于翔 | 申请(专利权)人: | 中国地质大学(北京) |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/455 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种高性能掺杂类金刚石膜的制备方法,其特征是该方法首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层;然后利用离子束辅助沉积技术制备梯度过渡层;最后利用离子束沉积+磁控溅射合成多元掺杂DLC膜,在此步骤除了向离子源中通入甲烷、乙炔、苯、乙醇、丙酮等任何一种含碳气体外,还同时通入包括硅烷、硼烷、磷烷、四氟化碳等含非碳元素气体源的任何一种气体,并开启金属溅射源掺杂金属元素。本发明可合成同时掺杂金属元素和非金属元素的多元掺杂DLC膜,充分发挥掺杂金属元素和非金属元素的优势互补,显著改善DLC膜的综合性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 性能 掺杂 金刚石 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种多元掺杂类金刚石(DLC)膜的制备方法,其特征在于:在离子束沉积合成DLC膜的过程中,除了向离子源中通入甲烷、乙炔、苯、乙醇、丙酮等任何一种含碳气体外,还同时通入包括硅烷、硼烷、磷烷、四氟化碳等含非碳元素气体源的任何一种气体,并开启金属溅射源掺杂金属元素,合成多元掺杂DLC膜,所述方法包括以下步骤:(1)首先利用超声波清洗技术去除基体表面污染层;(2)然后利用离子束辅助沉积技术制备梯度过渡层;(3)最后在梯度过渡层上利用离子束沉积+磁控溅射合成多元掺杂DLC膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的