[发明专利]非圆环形腔半导体激光器无效
| 申请号： | 200910217886.4 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101714744A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 晏长岭;邓昀;冯源;钟景昌 | 申请（专利权）人： | 长春理工大学 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/10 |
| 代理公司： | 长春科宇专利代理有限责任公司 22001 | 代理人： | 马守忠;马宝来 |
| 地址： | 130022 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非圆环形腔半导体激光器，其采用非圆环形腔。由顺次连列的均为非圆环形的上电极(8)、上波导层(9)、有源增益区(10)、下波导层(11)、衬底(12)和下电极(13)构成；所述的非圆环形腔半导体激光器的下电极(13)由焊料焊接到铜热沉上；该非圆环形谐振腔在保证实现光定向输出的同时，与非圆的盘型腔半导体激光器相比提高电流注入效率在20％以上，降低激光器件的激射阈值在20％以上，提高器件电光转化效率在15-20％，提高光输出功率在10-15％，克服了现有结构的不足。该激光器可以应用于III-V族半导体材料体系，也可以应用于II-VI族半导体材料体系，还可以应用在有机发光、激光材料体系。 | ||
| 搜索关键词： | 圆环 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.非圆环形腔半导体激光器，其特征在于，由顺次连接的均为非圆环形的上电极(8)、上波导层(9)、有源增益区(10)、下波导层(11)、衬底(12)和下电极(13)构成；所述的非圆环形腔半导体激光器的下电极(13)由焊料焊接到铜热沉上；非圆环形腔的外边界(14)由极坐标方程![]()
表示，式中的R1为外特征半径，其尺寸为非圆环形腔半导体激光器发射波长的一至一百倍量级范围，ε为形变因子，ε＝0.35-0.45；非圆环形腔的内边界(15)由极坐标方程![]()
表示，式中的R2为内特征半径尺寸，其尺寸小于外边界(14)的外特征半径R1尺寸；ε为形变因子，ε＝0.35-0.45；内外边界的轴对称中心重合，内外边界R1-R2的差为非圆环形腔半导体激光器发射波长的三至五倍至外边界R1特征半径尺寸的二分之一。
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