[发明专利]氧化镉微纳米有序结构材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910218125.0 | 申请日： | 2009-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101845651A | 公开（公告）日： | 2010-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张明喆;李咚咚 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C25D9/04 | 分类号： | C25D9/04;C25D7/12;C01G11/00 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远;刘玉凡 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的氧化镉微纳米有序结构材料的制备方法属于电化学沉积的方法制备纳米结构材料的技术领域。具体制备过程：采用去离子水、硝酸镉配置电解液；将两片镉箔电极平行的放在水平放置的硅片基底上，在两电极间倒入电解液，在电极上罩上盖玻片，放入温度控制系统；对电解液进行制冷结冰；放置约一小时后施加-1.5～-0.4V稳定的电压；实时观察基底上生成纳米阵列；最后用去离子水清洗基底，得到氧化镉纳米结构材料。本发明合成方法简单，制备过程中没有添加任何添加剂；制备成本低，无需模板；制备过程简洁，样品不需经过加热氧化处理；制备过程可控性高，可通过控制生长电压控制样品生长速度。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 有序 结构 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化镉微纳米有序结构材料的制备方法，采用去离子水、硝酸镉配置电解液，使Cd2+浓度在0.002～0.100mol/L之间，用硝酸调节电解液的pH值至1.0～3.0；采用表面氧化处理的硅片作为基底，将两片镉箔电极平行的放在水平放置的基底上，在两电极间倒入电解液，在电极上罩上盖玻片，组成半封闭的电解池，放入温度控制系统；将温度控制在-2.0～-7.0℃，对电解液进行制冷结冰；放置40～100分钟，在电极上施加稳定的电压，电位在-1.5～-0.4V；以光学显微镜实时观察基底上生成的纳米阵列；最后用去离子水清洗基底，得到氧化镉纳米结构材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学，未经吉林大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910218125.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
