[发明专利]一种制备隐蔽型发射极硅太阳电池的方法

摘要

一种制备隐蔽型发射极硅太阳电池的方法，本发明方法采用二次扩散工艺，包括：1-激光打孔，2-清洗、辐射损失去除、绒面制备，3-扩散，4-掩蔽发射区，5-发射区腐蚀、去周边结，6-去除掩蔽，7-氧化及表面钝化，8-丝网印刷电极，9-烧结。本发明可以较好的制备出隐蔽型发射极硅太阳电池。

主权项

一种制备隐蔽型发射极硅太阳电池的方法，包括以下步骤：(1)在p型硅片上激光打孔；(2)清洗硅片去掉硅片表面的污染物，用腐蚀液去除激光打孔产生的辐射损失层，再进行表面织构化；(3)用以下工艺中的一种或几种界定硅片背面p-n结：a.沉积SiNx膜作为扩散阻挡层，或b.丝网印刷扩散阻挡层，或c.丝网印刷耐腐蚀浆料，或d.激光刻槽法；(4)以POCl3为磷源在扩散炉内进行扩散，获得40-70Ω/□的发射区方块电阻或者110Ω/□的前表面发射区方块电阻，电池后表面20Ω/□的发射区方块电阻；(5)扩散结束后对硅片表面进行钝化，即在硅片表面生长SiO2或SiNx薄膜；(6)在硅片背面用金属浆料通过丝网印刷间隔排列与p型电极区域连接的正电极和与n型电极区域连接的负电极后，烘干、烧结。