[发明专利]一种新型隐箔式电容元件无效
| 申请号： | 200910218498.8 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101697318A | 公开（公告）日： | 2010-04-21 |
| 发明（设计）人： | 王香芳;房金兰 | 申请（专利权）人： | 中国西电电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01G4/32 | 分类号： | H01G4/32;H01G4/228;H01G4/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 惠文轩 |
| 地址： | 710075*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及电力系统用耦合电容器和电容式电压互感器制造领域，公开了一种新型隐箔式电容元件。它包括正、负极板铝箔和绝缘介质，其特征在于，正、负极板铝箔两侧均缩进绝缘介质边缘以内，正、负极板铝箔在卷绕的末端分别裸露在电容元件压扁后大面的上、下两侧，构成电容元件的正、负电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 隐箔式 电容 元件 | ||
【主权项】：
一种新型隐箔式电容元件，包括正、负极板铝箔和绝缘介质，其特征在于，正、负极板铝箔两侧均缩进绝缘介质边缘以内，正、负极板铝箔在卷绕的末端分别裸露在电容元件压扁后大面的上、下两侧，构成电容元件的正、负电极。
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