[发明专利]一种基于石墨烯/硅肖特基结的光伏电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910219530.4 申请日: 2009-12-16
公开(公告)号: CN101771092A 公开(公告)日: 2010-07-07
发明(设计)人: 李昕明;朱宏伟;王昆林;韦进全;李春艳;贾怡;李祯;李虓;吴德海 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 西安智大知识产权代理事务所 61215 代理人: 贾玉健
地址: 100084 北京市10*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种基于石墨烯/硅肖特基结的光伏电池及其制备方法,将钛钯银TiPdAg背电极、n型单晶硅片n-Si、环形的二氧化硅SiO2层和环形的金膜从下往上层叠式放置,金膜的内孔、二氧化硅SiO2层中间的通孔和n型单晶硅片n-Si的上表面形成台阶孔;采用直接转移、甩膜、喷涂、浸沾、过滤的方法将石墨烯或石墨烯的有机悬浊液平铺在台阶孔表面上,干燥后的石墨烯薄膜与基底电极上的n-Si紧密结合;石墨烯薄膜一端引出导线做为光伏电池的正极,钛钯银TiPdAg背电极4一端引出导线做为光伏电池的负极即可,本发明的光伏电池降低了硅的使用率,且组装工艺简单、成本低,适于规模化应用。
搜索关键词: 一种 基于 石墨 硅肖特基结 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于石墨烯/硅肖特基结的光伏电池,其特征在于,包括钛钯银TiPdAg背电极(4),钛钯银TiPdAg背电极(4)上放置有n型单晶硅片n-Si(3),n型单晶硅片n-Si(3)上放置有二氧化硅SiO2层(2),二氧化硅SiO2层(2)中间开有通孔,二氧化硅SiO2层(2)上放置有环形的金膜(1),金膜(1)的内孔、SiO2层(2)中间的通孔和n型单晶硅片n-Si(3)的上表面形成台阶孔,钛钯银TiPdAg背电极(4)一端引出导线,在台阶孔表面平铺有石墨烯薄膜(5),石墨烯薄膜(5)一端引出导线。
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