[发明专利]一种新的ZrO2陶瓷靶材制备方法无效
申请号: | 200910220569.8 | 申请日: | 2009-12-08 |
公开(公告)号: | CN102086122A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 黄大勇;韩绍娟;许壮志;薛健;张明;王世林 | 申请(专利权)人: | 沈阳临德陶瓷研发有限公司 |
主分类号: | C04B35/48 | 分类号: | C04B35/48;C04B35/64 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110400 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种新的ZrO2陶瓷靶材制备方法,该方法解决了目前使用的ZrO2陶瓷靶材只能作为小薄件用于个别小型磁控溅射设备中及喷涂到制品表面后的热障性能降低等技术问题。此方法采用工业ZrO2粉末为原料,并添加了部分电熔钇稳定ZrO2粉末。这种ZrO2陶瓷靶材采用冷等静压成型的工艺,可满足多种尺寸要求,并通过最终的烧成温度来控制靶材的体积密度和气孔率。采用本发明制备的ZrO2靶材,其密度为3.8~4.8g/cm3,显气孔率为12%~38%,适用于电子束物理气相沉积。本发明采用的技术合理,工艺方法简单易行,可以满足各种不同靶材的尺寸要求,又提高了ZrO2涂层的热障性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 zro sub 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种新的ZrO2陶瓷靶材制备方法,该方法是以工业ZrO2粉末为基本原料,并添加了部分电熔钇稳定ZrO2粉末作为辅料,这部分添加料在抑制ZrO2相变,提供稳定的四方晶相组成的同时,还起到调节靶材气孔率和体积密度的作用。
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