[发明专利]一种新的ZrO2陶瓷靶材制备方法无效

专利信息
申请号: 200910220569.8 申请日: 2009-12-08
公开(公告)号: CN102086122A 公开(公告)日: 2011-06-08
发明(设计)人: 黄大勇;韩绍娟;许壮志;薛健;张明;王世林 申请(专利权)人: 沈阳临德陶瓷研发有限公司
主分类号: C04B35/48 分类号: C04B35/48;C04B35/64
代理公司: 沈阳维特专利商标事务所 21229 代理人: 甄玉荃
地址: 110400 *** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种新的ZrO2陶瓷靶材制备方法,该方法解决了目前使用的ZrO2陶瓷靶材只能作为小薄件用于个别小型磁控溅射设备中及喷涂到制品表面后的热障性能降低等技术问题。此方法采用工业ZrO2粉末为原料,并添加了部分电熔钇稳定ZrO2粉末。这种ZrO2陶瓷靶材采用冷等静压成型的工艺,可满足多种尺寸要求,并通过最终的烧成温度来控制靶材的体积密度和气孔率。采用本发明制备的ZrO2靶材,其密度为3.8~4.8g/cm3,显气孔率为12%~38%,适用于电子束物理气相沉积。本发明采用的技术合理,工艺方法简单易行,可以满足各种不同靶材的尺寸要求,又提高了ZrO2涂层的热障性能。
搜索关键词: 一种 zro sub 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种新的ZrO2陶瓷靶材制备方法,该方法是以工业ZrO2粉末为基本原料,并添加了部分电熔钇稳定ZrO2粉末作为辅料,这部分添加料在抑制ZrO2相变,提供稳定的四方晶相组成的同时,还起到调节靶材气孔率和体积密度的作用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳临德陶瓷研发有限公司,未经沈阳临德陶瓷研发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910220569.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top