[发明专利]高致密度氧化镁靶材的制造方法无效
申请号: | 200910220570.0 | 申请日: | 2009-12-08 |
公开(公告)号: | CN102086504A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 吴学坤;韩绍娟;许壮志;薛健;张明;肖飞 | 申请(专利权)人: | 沈阳临德陶瓷研发有限公司 |
主分类号: | C23C14/08 | 分类号: | C23C14/08;C23C14/34 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所 21229 | 代理人: | 甄玉荃 |
地址: | 110400 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种氧化镁靶材的制造方法。该方法采用以下步骤:A.以纯度大于99.99%、平均粒径100nm左右的MgO粉作为靶材主料;B.将有机物聚合单体、交联剂、分散剂等加入到甲苯溶液中制成预混液,然后依次加入步骤A所得的靶材原料,搅拌制浆并将研磨后得到浆料;C.步骤B所得的浆料真空搅拌脱气,然后浇注入模具,进行恒温干燥使坯体发生凝胶反应而固化。D.将具备了一定强度的坯体,从模具中脱离出来,对坯体表面进行必要的打磨、修整。E.对D的产物进行致密化处理,即得氧化镁靶材。本发明解决了现有技术均匀度和致密度不高,工艺耗能耗时、不能批量生产的问题,使生产效率和成品率大大提高,所得MgO靶材整体均匀性好、致密度高。 | ||
搜索关键词: | 致密 氧化镁 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种高致密度氧化镁靶材的制造方法,其特征在于它包括下述工艺步骤:A.以纳米氧化镁粉体为主要原料,平均粒径在100nm,原料粉体纯度大于99.99%在上述粉体中添加0.005‑0.01wt%不降低氧化镁陶瓷靶材最终性能的氧化钇粉末做为助烧结剂;B.将甲苯、有机物聚合单体甲基丙烯酸乙酯、交联剂N,N’‑亚甲基双丙烯酰胺以100∶10‑15∶0.5‑1的重量比例充分溶解制成预混液,加入0.1‑1wt%改性聚脂做分散剂,然后依次加入步骤A所得的靶材原料,加入原料粉体的体积含量为55%‑75%,搅拌制浆并经研磨后得到浆料;C.步骤B所得的浆料加入0.1‑1.5%体积的有机脱气剂正丁醇,加入0.01‑2wt‰催化剂二甲基苯胺和0.01‑2wt‰引发剂过氧化苯甲酰真空搅拌脱气15‑60分钟,然后根据所需产品的尺寸浇注入相应尺寸的模具,再将浆料进行60‑80℃恒温干燥1‑2小时,使坯体发生凝胶反应而固化;D.将固化定型后的坯体,从模具中脱离出来,对坯体表面进行打磨、修整。E.对D的产物进行致密化处理,即得氧化镁靶材。
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