[发明专利]图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200910221298.8 | 申请日： | 2009-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN101740594A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 尹基准 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;邢雪红 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种图像传感器的制造方法包括在半导体衬底上形成包括金属线的电路，在该金属线上形成光电二极管，以及在该光电二极管中形成接触塞，使得该接触塞被连接至该金属线。形成该接触塞的步骤包括执行第一蚀刻工艺，以蚀刻该光电二极管的一部分，并且执行第二蚀刻工艺，以使用在刻蚀中产生的副产品暴露该金属线的一部分，从而在该光电二极管中形成用于该接触塞的通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在半导体衬底上形成包括金属线的电路；在该金属线上形成光电二极管；以及在该光电二极管中形成接触塞，使得该接触塞被连接至该金属线，其中形成该接触塞的步骤包括：执行第一蚀刻工艺以蚀刻该光电二极管的一部分；以及执行第二蚀刻工艺以暴露该金属线的一部分，使用在该第二蚀刻工艺中产生的副产品以在该光电二极管中形成用于该接触塞的通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
