[发明专利]低漂移化学传感器阵列的方法和装置

摘要

低漂移化学传感器阵列的方法和装置。一种片上的低基线漂移的SAW/LAW化学传感器阵列及其形成方法。双SAW延迟线包括：用来产生声波的公共IDT，以及用来接收声波的一对IDT。一个感测层或者一个参考层可以沉积在公共IDT的每一侧上的位置中。一ASIC芯片包括片上的双操作放大器和混合器，以利用由感测层和参考层给出的差获得差别测量。可利用三维3D技术来将传感器阵列和ASIC连接在相同的封装中并由此形成3D堆栈。化学传感器阵列和ASIC可以配置在不同的封装中，并利用2D技术互连在相同的衬底上。多种气体可以被独立地探测，每种气体可关于与其相关联的感测层和特定参考层而被有差别地探测。

主权项

一种低漂移的化学传感器阵列装置，包括：包含有多个叉指换能器的多个SAW/LAW延迟线，其包括至少用于产生声波的公共叉指换能器和一对用于接收所述声波的叉指换能器，其中所述多个SAW/LAW延迟线中的每个延迟线包括在所述公共叉指换能器的每一侧上的一个感测层或者一个参考层；以及包括多个操作放大器的ASIC部件，其中在所述多个操作放大器中每个操作放大器包括正反馈回路，在所述正反馈回路中包含所述多个SAW/LAW延迟线中的一个SAW/LAW延迟线，并且所述ASIC部件还包括多个混合器，对于要从与所述低漂移的化学传感器阵列装置分别或同时接触的多种气体中探测出的每种气体，所述多个混合器中的每个混合器用来利用通过来自所述多个操作放大器中的两个操作放大器的频率相减的频率差来获得气体差别测量。