[发明专利]极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造有效
| 申请号： | 200910221847.1 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101882747A | 公开（公告）日： | 2010-11-10 |
| 发明（设计）人： | 田中康太郎 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01R43/28 | 分类号： | H01R43/28;H02G1/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 张敬强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造。本发明提供一种在切断屏蔽导体时减轻对内部绝缘体的损伤的极细同轴线的末端处理方法及末端处理构造。本发明的极细同轴线的末端处理方法包含以下各步骤：切断套管(5)而使屏蔽导体(4)露出的步骤(S1)；在极细同轴线的长度方向的多个部位切断已露出的屏蔽导体(4)的圆周方向的一部分的步骤(S2)；以及从距末端最远的末端处理部位拔出末端侧的套管(5)及屏蔽导体(4)而使内部绝缘体(3)露出的步骤(S3)。 | ||
| 搜索关键词： | 同轴线 末端 处理 方法 构造 | ||
【主权项】：
一种极细同轴线的末端处理方法，其是在从中心向外侧依次具有中心导体、内部绝缘体、屏蔽导体、套管，上述屏蔽导体由螺旋卷绕的导线或者编织卷绕的导体构成的极细同轴线的末端处理方法中，其特征在于，包含以下各步骤：切断上述套管而使上述屏蔽导体露出的步骤；在上述极细同轴线的长度方向的多个部位切断上述已露出的屏蔽导体的圆周方向的一部分的步骤；以及从距末端最远的末端处理部位拔出末端侧的套管及屏蔽导体而使内部绝缘体露出的步骤。
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