[发明专利]兰姆波装置有效
| 申请号： | 200910221852.2 | 申请日： | 2009-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101741344A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 多井知义;坂井正宏;大杉幸久 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种频率的不均小的兰姆波装置。兰姆波装置(102)具有压电体薄膜(106)、设置于上述压电体薄膜(106)的主表面上的IDT电极(108)、支持上述IDT电极(108)与压电体薄膜(106)的层叠体(104)且形成有隔离层叠体(104)的空腔(180)的支持结构体(122)。选择压电体薄膜(106)的膜厚h以及IDT电极(108)的电极条的间距p，使得相对于压电体薄膜(106)的膜厚h的音速v分散性小的兰姆波在目标频率下被激发。 | ||
| 搜索关键词： | 兰姆波 装置 | ||
【主权项】：
一种兰姆波装置，其具有压电体薄膜、设置于所述压电体薄膜的主表面上的IDT电极、支持所述压电体薄膜与所述IDT电极的层叠体的支持结构体；其中，选择所述压电体薄膜的膜厚h以及所述IDT电极的电极条的间距p，使得相对于所述压电体薄膜的膜厚h与波长λ的比h/λ的音速v的变化系数Δv/Δ(b/λ)的绝对值为2000m/s以下的兰姆波在目标频率下被激发。
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