[发明专利]用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统有效

专利信息
申请号: 200910222007.7 申请日: 2009-11-13
公开(公告)号: CN101750881A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 井上忠宣;D·O·梅尔维勒;牟田英正;田克汉;阪本正治;A·E·罗森布鲁斯 申请(专利权)人: 国际商业机器公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 党建华
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法和系统。确定在制造半导体器件的实例中使用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模布局数据选择目标边缘对以确定光刻掩模制造中的制造损失。掩模布局数据包括多个多边形,各多边形具有多个边缘,各目标边缘对由一个或更多个多边形的边缘中的两个限定。减少目标边缘对的数量,以减少确定光刻掩模制造中的制造损失的计算量。基于数量减少的目标边缘对确定光刻掩模的可制造性,包括确定光刻掩模制造中的制造损失。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于光刻掩模制造中的制造损失。
搜索关键词: 用于 确定 光刻 制造 方法 系统
【主权项】:
一种用于确定在制造半导体器件的实例中使用的光刻掩模的可制造性的方法,包括:为了确定光刻掩模制造中的制造损失,从光刻掩模的掩模布局数据选择多个目标边缘对,掩模布局数据包括多个多边形,各多边形具有多个边缘,各目标边缘对由一个或更多个多边形的边缘中的两个限定;减少目标边缘对的数量,以减少确定光刻掩模制造中的制造损失的计算量;确定光刻掩模的可制造性,包括确定光刻掩模制造中的制造损失,这里,确定制造损失基于数量减少的目标边缘对;和输出光刻掩模的可制造性,这里,光刻掩模的可制造性依赖于光刻掩模制造中的制造损失。
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