[发明专利]通过气体分散器的等离子体均匀度控制有效
申请号: | 200910222285.2 | 申请日: | 2005-07-07 |
公开(公告)号: | CN101871099A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 崔寿永;朴范秀;J·M·怀特;R·L·蒂纳 | 申请(专利权)人: | 应用材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/509;H05H1/24 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了用以在处理室中散布气体的一气体分散板的实施例。在一实施例中,用于等离子体处理室的气体分散板组件至少包含一散布器板,该散布器板具有穿过其上游侧与下游侧之间的气体通道,与位于该些气体通道的下游侧的中空阴极腔穴。该散布器板的下游侧具有一弯曲性,以改善通过PECVD沉积的薄膜层(特别是氮化硅与非晶硅膜层)的厚度均匀性与膜层性质均匀性。弯曲性较佳地是由圆或椭圆的一弧、位在散布器板的中心点的顶点来描述。在一态样中,中空阴极腔穴体积密度、表面积密度、或散布器的腔穴密度是由散布器的中心增加至外缘。本发明也提供了用以制造这样的散布器板的方法。 | ||
搜索关键词: | 通过 气体 分散 等离子体 均匀 控制 | ||
【主权项】:
一种装置,包括:处理室;基材支撑件,设置在该处理室中;分散器板,在该处理室中相对于该基材支撑件设置,该分散器板具有面对该基材支撑件且基本上内凹的一侧、以及数个延伸贯穿该分散器板的气体通道,其中的每一个气体通道具有中空阴极腔穴,该中空阴极腔穴基本上邻近该内凹的一侧,该分散器板与该基材支撑件之间的间隔在0.800英寸到0.550英寸之间变化。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的