[发明专利]体接触的混合表面绝缘体上半导体结构及其方法

摘要

本发明涉及体接触的混合表面绝缘体上半导体结构及其方法。将绝缘体上半导体(SOI)衬底的顶部半导体层的一部分构图为具有基本上垂直侧壁的半导体鳍片。在两个源极区域之间的半导体鳍片的顶面上暴露半导体鳍片的体区域的一部分，该两个源极区域具有与半导体鳍片的体区域相反的导电类型的掺杂。直接在两个源极区域上以及在两个源极区域之间的暴露的体区域的顶面上形成金属半导体合金部分。通过离子注入增加体区域的暴露的顶部的掺杂浓度以向体区域提供低电阻接触，或者形成具有高密度的晶体缺陷的复合区域。由此形成的混合表面绝缘体上半导体(HSSOI)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)具有被电连接到源极区域的体区域。

主权项

一种半导体结构，包括：半导体鳍片，其具有第一侧壁、第二侧壁、以及基本上水平的顶面，并直接位于在衬底上的绝缘体层上，其中所述第一和第二侧壁基本上彼此平行并基本上沿垂直方向；体区域，其位于所述半导体鳍片内并具有第一导电类型的掺杂，且垂直地邻接所述绝缘体层；第一源极区域，其位于所述半导体鳍片的第一端内并直接在所述第一侧壁上，且具有第二导电类型的掺杂，其中所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第二源极区域，其位于所述半导体鳍片的所述第一端内并直接在所述第二侧壁上，且具有所述第二导电类型的掺杂；以及金属半导体合金部分，其邻接所述第一源极区域、所述第二源极区域、以及所述半导体鳍片的具有所述第一导电类型的掺杂并位于所述第一源极区域与所述第二源极区域之间的部分的顶面。