[发明专利]等离子体蚀刻加工方法无效
| 申请号： | 200910222707.6 | 申请日： | 2005-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN101777492A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 本田昌伸;中村昌洋 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;日本瑞翁株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/314 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种等离子体加工方法，其通过使用含碳氟化合物的加工气体的等离子体加工目标对象。使用的碳氟化合物在分子内具有至少一个三键和至少一个以单键结合到与相邻碳原子形成三键的碳原子上的CF3基团，例如1，1，1，4，4，4-六氟-2-丁炔或1，1，1，4，4，5，5，5-八氟-2-戊炔。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体蚀刻加工方法，包括：通过使用由含碳氟化合物的加工气体所产生的等离子体，加工目标对象，其中所述的碳氟化合物在分子内具有至少一个三键，和至少一个以单键结合到与相邻碳原子形成三键的碳原子上的CF3基团，其中所述的等离子体是通过施加频率落入50-150MHz的范围以内的高频电力而形成的，其中所述的等离子体蚀刻加工是应用于在目标对象上形成的含硅氧化物膜的蚀刻工艺，所述的蚀刻工艺是通过使用在含硅氧化物膜上形成的图案化感光耐蚀膜作为蚀刻掩膜而进行的，其中所述的加工气体在蚀刻加工中的停留时间落入0.01-0.1秒的范围以内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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