[发明专利]一种访问Nand闪存数据的方法和装置有效
| 申请号： | 200910224156.7 | 申请日： | 2009-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101702139A | 公开（公告）日： | 2010-05-05 |
| 发明（设计）人： | 李贤军 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/08 | 分类号： | G06F12/08 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270 | 代理人： | 张颖玲;王黎延 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种访问Nand闪存数据的方法，创建Nand缓存，在访问Nand闪存数据时，先根据要访问的Nand闪存的线性地址，计算出要访问的Nand闪存的物理块号(WriteBlockNum)，再根据WriteBlockNum和各缓存块的管理信息中的命中块号判断是否在Nand缓存中命中缓存块，如果命中，则对命中的缓存块进行访问；如果未命中，则在访问为写操作时，申请缓存块，并将WriteBlockNum记录到命中块号，再对此缓存块进行写操作；在访问为读操作时，直接从Nand闪存中读取数据；本发明同时还公开了一种访问Nand闪存数据的装置；采用本发明的方案大大提高了对Nand闪存的读写速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 访问 nand 闪存 数据 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种访问Nand闪存数据的方法，其特征在于，该方法包括：创建Nand缓存，初始化Nand缓存中各缓存块管理信息中的命中块号；在对Nand闪存数据访问时，根据要访问的Nand闪存的线性地址，计算出要访问的Nand闪存的物理块号；根据所述物理块号和命中块号判断是否命中缓存块，如果命中，则对命中的缓存块进行访问；如果未命中，则在写操作时，在Nand缓存中申请未使用的缓存块，并将所述物理块号记录到命中块号，再对此缓存块进行写操作；在读操作时，根据要读的线性地址，从Nand闪存中读取数据。
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