[发明专利]用于液晶显示器的薄膜晶体管有效
申请号: | 200910225196.3 | 申请日: | 2001-10-19 |
公开(公告)号: | CN101819971A | 公开(公告)日: | 2010-09-01 |
发明(设计)人: | 金东奎 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;H01L23/528;H01L23/532;H01L21/82;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开一种用于液晶显示器的薄膜晶体管。在具有显示区及其外部的缓冲区的基板上形成沿第一方向延伸的栅极布线。在栅极布线和基板上的栅极绝缘膜上形成有源构图。在栅极布线上形成沿垂直于第一方向的第二方向延伸的数据布线。在数据布线和栅极绝缘膜上形成并构图有机钝化膜,使其在延伸到将要形成通孔的边缘时倾斜得越来越小。将有机钝化膜作为掩膜刻蚀栅极绝缘膜,形成显露数据布线的第一通孔和显露栅极布线的第二通孔。去除有机钝化膜构图下方的凹槽。在有机钝化膜构图上形成经第一通孔连接数据布线的像素电极和经第二通孔连接栅极布线的缓冲电极。栅极绝缘膜在第二通孔的底部边缘上相对于有机钝化膜构图向内突出。 | ||
搜索关键词: | 用于 液晶显示器 薄膜晶体管 | ||
【主权项】:
一种用于液晶显示器的薄膜晶体管,包括:在基板上形成的栅极布线,该基板包括显示区和位于显示区外部的缓冲区,该栅极布线沿第一方向延伸;形成在栅极布线和基板上的栅极绝缘膜,用于部分露出栅极布线;形成在栅极绝缘膜上的有源构图;与有源构图部分交叠的数据布线,数据布线形成在栅极绝缘膜上且在基本垂直于第一方向的第二方向上延伸;形成在数据布线和栅极绝缘膜上的有机钝化膜构图,所述有机钝化膜构图包括部分显露数据布线的第一通孔和部分显露栅极布线的第二通孔;像素电极,形成在有机钝化膜构图上且经第一通孔与数据布线连接;缓冲电极,形成在有机钝化膜构图上且经第二通孔与栅极布线连接;位于缓冲区并由与栅极布线相同的层形成的数据缓冲层;形成在有机钝化膜构图上的桥电极,该桥电极经穿过数据布线端部上的有机钝化膜构图形成的第三通孔和在数据缓冲层上栅极绝缘膜和有机钝化膜构图二者处形成的第四通孔将数据布线与数据缓冲层电连接,其中,数据布线在第一通孔中包括布置在数据布线的表面上的台阶部分,台阶部分从第一通孔的底部边缘突出,以及其中,栅极绝缘膜从第四通孔的侧壁突出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的