[发明专利]垂直式薄膜晶体管及其制造方法及显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910225513.1 申请日: 2009-11-30
公开(公告)号: CN102082178A 公开(公告)日: 2011-06-01
发明(设计)人: 翁守正;李怀安;莫启能 申请(专利权)人: 华映视讯(吴江)有限公司;中华映管股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28;H01L51/05;H01L51/10;H01L51/40;G09G3/32
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 孙长龙
地址: 215217 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明是关于一种垂直式薄膜晶体管及其制造方法以及包括该垂直式薄膜晶体管的显示装置及其制造方法。垂直式薄膜晶体管是应用至一基板,并将垂直式薄膜晶体管的栅极层实施为同心环结构且相邻同心环为相连,此结构能提升垂直式薄膜晶体管的抗应力及导通电流。
搜索关键词: 垂直 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示装置
【主权项】:
一种垂直式薄膜晶体管,应用至一基板,该垂直式薄膜晶体管包括:一第一电极层,形成于该基板上,该第一电极层至少包括一第一区域以及一第二区域,该第一区域包括复数个同心环子区域以及一连接子区域,该连接子区域为相邻同心环子区域之间的一部份且用以连接相邻同心环子区域,该第二区域包括位于相邻同心环子区域之间不含该连接子区域的其余部份;一第一绝缘层,形成于该第一电极层的该第一区域上;一栅极层,对应地形成于该第一绝缘层上;一第二绝缘层,对应地形成于该栅极层上;一半导体层,形成于该第一电极层的该第二区域上;一第三绝缘层,形成于该栅极层的侧表面;以及一第二电极层,形成于该半导体层上。
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